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在反鐵磁材料中存儲信息

美因茨大學(xué)的研究人員表明,信息可以存儲在反鐵磁材料中,并可以測量書寫操作的效率。

人們存儲越來越多的信息,而終端設(shè)備卻變得越來越小。但是,由于技術(shù)的不斷改進,基于硅的常規(guī)電子設(shè)備已達到物理極限,例如位大小或存儲信息所需的電子數(shù)量。自旋電子學(xué),尤其是反鐵磁材料,提供了另一種選擇。在自旋電子學(xué)中,信息不僅存儲在電子中,而且存儲在電子的自旋和相關(guān)的磁矩中。這樣,可以在相同的空間量中存儲兩倍的信息。然而,到目前為止,是否有可能在反鐵磁材料中以電子方式存儲信息一直存在爭議。

約翰內(nèi)斯·古騰堡大學(xué)美因茨大學(xué)(JGU)的研究人員與日本仙臺東北大學(xué)合作,現(xiàn)已證明它是可行的:JGU的MathiasKläui教授小組的Marie Sklowdoska-Curie研究員Lorenzo Baldrati博士說:“不僅能夠從根本上證明反鐵磁材料中的信息存儲是可能的,而且還能夠測量在反鐵磁絕緣材料中如何有效地電寫入信息。”

為了進行測量,研究人員使用了反鐵磁絕緣體氧化鈷CoO,這種模型材料為將來的自旋電子學(xué)應(yīng)用鋪平了道路。結(jié)果是:電流比磁場更有效地操縱反鐵磁性材料。這一發(fā)現(xiàn)為從無法被外部磁場擦除的智能卡到超高速計算機等各種應(yīng)用打開了大門,這要歸功于反鐵磁優(yōu)于鐵磁。該研究論文最近發(fā)表在《物理評論快報》上。在進一步的步驟中,JGU的研究人員希望研究信息的保存速度和信息的緊湊程度。

MathiasKläui教授說:“我們與自旋電子學(xué)領(lǐng)域的領(lǐng)先大學(xué)-東北大學(xué)的長期合作,產(chǎn)生了另一項令人振奮的工作。” “在德國交流服務(wù)局,美因茨卓越材料科學(xué)研究生院和德國研究基金會的支持下,我們在美因茨與仙臺之間進行了一次熱烈的交流,并與這一主題的前沿理論小組合作。我們有機會在我們的大學(xué)之間獲得第一學(xué)位,這是學(xué)生所注意到的。這是在反鐵磁自旋電子學(xué)這個新興領(lǐng)域組建一支國際卓越團隊的下一步。”

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