金屬間化合物的物理和化學性質受合成材料的實際結構支配，并受到結構缺陷(例如應變，位錯和混合相的存在)的強烈影響。這導致已知和廣泛研究的材料的報告不一致。

這些化合物中有TaGeIr，它以MgAgAs型結構結晶。為了了解有關TaGeIr的報道相互矛盾的原因，MPI CPfS和西北大學的科學家研究了晶體結構與理想MgAgAs模型的偏差，化學計量失準(均質范圍的存在)，合成路線對真實M影響的影響TaGeIr的結構和金相特征。

這項全面研究的結果是，發(fā)現TaGeIr標本中少數相的存在(由于三元體系中的相平衡，即使經過長時間的熱處理也無法完全均質化)會導致外在的金屬行為以及外觀低溫下的超導性 為了研究TaGeIr的內在特性，應用了微型器件的制造，并最終確定了TaGeIr的半導體性能。

TaGeIr的半導體性質與電子能帶結構計算相符，僅在雜原子位點具有銥原子的MgAgAs型結構的情況下，才顯示出帶隙的存在。后者與單晶衍射研究一致。

位于德累斯頓的馬克斯·普朗克固體化學物理研究所(MPI CPfS)的研究旨在發(fā)現和理解具有不同尋常性質的新材料。

在密切合作下，化學家和物理學家(包括從事合成工作的化學家，實驗家和理論家)使用最現代的工具和方法來檢查原子的化學組成和排列以及外力如何影響磁，電子和化學性質的化合物。

這種跨學科合作的結果是新的量子材料，物理現象和能量轉換材料。