預計5G技術(shù)將提供無線通信，其延遲小于1毫秒，吞吐量比現(xiàn)有4G網(wǎng)絡快50倍。

這種速度將為實現(xiàn)令人難以置信的多媒體和視頻體驗奠定基礎。但是，要充分利用這些功能，就需要一個高性能的存儲系統(tǒng)，該系統(tǒng)必須能夠滿足5G速度和存儲要求。

為了實現(xiàn)5G的快速下載，我們需要一個大容量，快速的存儲設備。例如，考慮流式傳輸UHD內(nèi)容。在這種情況下，我們的移動設備將需要在后臺臨時緩沖視頻。

這需要具有與網(wǎng)絡一樣快的讀/寫操作的大內(nèi)存。下圖說明了2D平面NAND閃存無法滿足當今無線通信的需求。

一種克服閃存瓶頸的短期解決方案可以是3D NAND技術(shù)，其中堆疊的存儲管芯層可以提高內(nèi)存容量和性能。

高性能閃存僅是5G內(nèi)存挑戰(zhàn)的一半。甚至基于LPDDR4的芯片組也將被5G設備應處理的大量數(shù)據(jù)推到極限。如果沒有改進的RAM內(nèi)存，我們將具有較低的視頻分辨率，令人沮喪的延遲和有限的功能。

什么是多芯片封裝?

隨著我們達到摩爾定律的盡頭，我們需要依靠其他技術(shù)來改善電子系統(tǒng)的性能。這些技術(shù)之一可能是多芯片封裝，它將不同的芯片以堆疊的方式放置在同一封裝內(nèi)。這種封裝技術(shù)的最新示例是三星的3D IC技術(shù)。

下圖顯示了堆疊的產(chǎn)品，其中三個不同的模具彼此粘在一起。