早在2019年，SK Hynix宣布已成功開發(fā)了新一代DRAM存儲芯片。這些新芯片被標記為HBM2E，現在終于可以進行批量生產了。

根據官方的說法，HBM2E的每引腳性能為3686.4Gbps。這意味著帶寬超過460GB / s，總共有1024個I / O(輸入/輸出)。HBM2E架構堆疊了八個具有TSV(直通硅通道)技術的16千兆位DRAM芯片，以實現16GB的總容量，是上一代HBM2存儲器的兩倍以上。

對于那些不知道的人，HBM2是AMD在2015年首次發(fā)布的前一代Radeon Fury顯卡中使用的內存。盡管具有各種優(yōu)勢，但其高昂的成本和其他限制因素導致其最終在后代中停產。盡管現在，SK Hynix推出了最新一代的內存解決方案，該解決方案隨帶有深度學習加速器的AI系統(tǒng)一起提供，這對于高性能計算機很有用。