大腦是終極的計(jì)算機(jī)，因此也難怪研究人員熱衷于嘗試模擬它?，F(xiàn)在，新的研究朝著這個(gè)方向邁出了有趣的一步-一種能夠像我們的大腦一樣“忘記”記憶的設(shè)備。

它稱為二階憶阻器(“內(nèi)存”和“電阻器”的混合)。巧妙的設(shè)計(jì)模仿了人類大腦的突觸，以其記住信息的方式，然后，如果長時(shí)間不訪問信息，則會(huì)逐漸丟失該信息。

盡管憶阻器目前尚無實(shí)際用途，但它最終可以幫助科學(xué)家開發(fā)一種新型的神經(jīng)計(jì)算機(jī)-人工智能系統(tǒng)的基礎(chǔ)-履行與大腦相同的某些功能。

在所謂的模擬神經(jīng)計(jì)算機(jī)中，片上電子組件(如憶阻器)可能承擔(dān)單個(gè)神經(jīng)元和突觸的作用。這樣既可以減少計(jì)算機(jī)的能源需求，又可以同時(shí)加快計(jì)算速度。

目前，模擬神經(jīng)計(jì)算機(jī)是假設(shè)性的，因?yàn)槲覀冃枰宄娮悠骷绾文７峦挥|可塑性-主動(dòng)性腦突觸隨著時(shí)間的推移而增強(qiáng)，而無效性腦突觸會(huì)變得更弱。科學(xué)家認(rèn)為，這就是為什么我們可以保留一些記憶而另一些記憶消失的原因。

以前制造憶阻器的嘗試使用納米級導(dǎo)電橋，該橋隨后會(huì)隨著時(shí)間的流逝而衰減，就像記憶在我們腦海中可能衰減一樣。

俄羅斯莫斯科物理與技術(shù)研究所(MIPT)的物理學(xué)家Anastasia Chouprik說：“這種(一階憶阻器)解決方案的問題在于，該設(shè)備往往會(huì)隨著時(shí)間的推移改變其行為，并且在長時(shí)間運(yùn)行后會(huì)發(fā)生故障。”

“我們用來實(shí)現(xiàn)突觸可塑性的機(jī)制更加強(qiáng)大。事實(shí)上，在將系統(tǒng)狀態(tài)切換1000億次之后，它仍然可以正常運(yùn)行，因此我的同事們停止了耐久測試。”

在這種情況下，研究小組使用了一種稱為氧化f的鐵電材料來代替納米橋，其電極化響應(yīng)于外部電場而變化。這意味著可以通過電脈沖設(shè)置低阻狀態(tài)和高阻狀態(tài)。